发明名称 |
蓄电装置用电极的制造方法及蓄电装置的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的之一是减少由于活性物质的体积膨胀造成的影响。本发明提供一种在集电体的一个表面上包括活性物质的蓄电装置用电极的制造方法:形成用作该集电体的导体,在该导体的一个表面上形成包括非晶体区域及微晶区域的混合层,通过对该混合层选择性地进行蚀刻,以去除该非晶体区域的一部分或全部而使该微晶区域露出,由此形成活性物质,而可以减少由于该活性物质的体积膨胀造成的影响。 |
申请公布号 |
CN102034969B |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201010512983.9 |
申请日期 |
2010.09.29 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;栗城和贵;桃纯平;松原里枝 |
分类号 |
H01M4/1395(2010.01)I;H01M10/058(2010.01)I;H01G9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01M4/1395(2010.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
吴娟;林毅斌 |
主权项 |
一种蓄电装置用电极的制造方法,包括如下步骤:在集电体的一个表面上形成包括非晶体区域及微晶区域的混合层,所述混合层通过使用沉积气体、氢和稀有气体的辉光放电等离子体形成;以及使用蚀刻剂选择性地蚀刻所述混合层,其中,所述混合层包括微晶硅膜、微晶硅锗膜和微晶锗膜中的任一种,以及其中,在所述蚀刻步骤中,去除所述非晶体区域的至少一部分并且使所述微晶区域的多个微晶粒露出。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |