| 发明名称 | 丙烯酸酯聚氨酯化学机械抛光层 | ||
| 摘要 | 本发明涉及丙烯酸酯聚氨酯化学机械抛光层，具体包括一种化学机械抛光垫，其包括丙烯酸酯-聚氨酯抛光层，其中所述抛光层的拉伸模量为65-500MPa；断裂伸长率为50-250％；储能模量G'为25-200MPa；肖氏D硬度为25-75；湿切割速率为1-10微米/分钟。 | ||
| 申请公布号 | CN103072099B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201210370017.7 | 申请日期 | 2012.09.27 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限公司 | 发明人 | J·谢;D·B·詹姆斯;C·H·董 |
| 分类号 | B24D13/14(2006.01)I;B24D18/00(2006.01)I | 主分类号 | B24D13/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明 |
| 主权项 | 一种化学机械抛光垫，用于对选自磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种的基片进行抛光，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层包括下列原料成分的反应产物：(a)由(i)多官能异氰酸酯与(ii)预聚物多元醇反应制备的异氰酸酯封端的聚氨酯预聚物，其中所述异氰酸酯封端的聚氨酯预聚物含有4‑12重量％的未反应的NCO基团；(b)多胺增链剂,(c)选自(烷基)丙烯酸羟烷基酯和(甲基)丙烯酸‑2‑氨基乙基酯的丙烯酸酯；和(d)自由基引发剂，其中，所述抛光层的拉伸模量为65‑500MPa；断裂伸长率为50‑250％；储能模量G'为25‑200MPa；肖氏D硬度为25‑75；湿切割速率为1‑10微米/分钟。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||