从晶体材料的非极性平面形成的器件及其制作方法

摘要

包括同样内容的材料、方法、结构以及器件可通过使用一有源二极管区来提供例如发光二极管的半导体器件，其中该有源二极管区对应于III-N半导体晶体材料的非极性面或非极性表面。在一些实施例中，有源二极管区包含多于朝向极性平面的III-N半导体材料的朝向非极性平面的III-N半导体材料。在另一些实施例中，底部二极管区包含比面对有源二极管区的极性c-平面氮化镓的表面面积更大的非极性m-平面或a-平面氮化镓的表面面积。

主权项

一种二极管的制作方法，包括：形成一第一包覆层，其中该第一包覆层作为一底部二极管区且包括一个或多个极性晶体材料的鳍，且其中该一个或多个鳍的主要面为非极性的，且该主要面为该一个或多个鳍的侧壁；在该主要面的一个或多个面上方形成一有源二极管区；以及形成相邻于该有源二极管区且作为一顶部二极管区的一第二包覆层，其中一承载基底取代该第二包覆层中含有极性平面的部分。