发明名称 | 一种晶圆键合方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种晶圆键合方法,包括:提供需要实施键合的晶圆,其中,所述晶圆中的下晶圆上形成有第一焊盘,所述晶圆中的上晶圆上与所述第一焊盘对应的位置形成有键合材料,且所述下晶圆的边缘位置形成有第二焊盘;对所述下晶圆和所述上晶圆实施晶圆键合;对实施所述晶圆键合之后的晶圆进行磨削减薄处理。根据本发明,在实施所述磨削减薄处理时,位于所述下晶圆上的第二焊盘对磨削减薄的作用力起到缓冲作用,从而可以避免在所述上晶圆的边缘产生裂痕,同时由于所述上晶圆上与所述第二焊盘相对应的位置未形成键合材料,不会对后续的晶圆切割处理造成负面影响。 | ||
申请公布号 | CN104716056A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
申请号 | CN201310697478.X | 申请日期 | 2013.12.17 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 郭亮良;王伟;刘煊杰 |
分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
主权项 | 一种晶圆键合方法,包括:提供需要实施键合的晶圆,其中,所述晶圆中的下晶圆上形成有第一焊盘,所述晶圆中的上晶圆上与所述第一焊盘对应的位置形成有键合材料,且所述下晶圆的边缘位置形成有第二焊盘;对所述下晶圆和所述上晶圆实施晶圆键合;对实施所述晶圆键合之后的晶圆进行磨削减薄处理。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |