发明名称 Cu-Co-Si-Zr合金材料及其制造方法
摘要 本发明涉及Cu-Co-Si-Zr合金材料,其具有良好的弯曲加工性,其含有1.0~2.5wt%的Co、0.2~0.7wt%的Si、0.001~0.5wt%的Zr、Co/Si的元素比为3.5~5.0,含有3000~500000个/mm<sup>2</sup>的直径0.20μm以上且小于1.00μm的第二相粒子,晶体粒径在10μm以下,导电率在60%IACS以上。上述合金材料可通过如下方法制造:在铸造后、固溶处理前进行的高温加热的温度是比下述固溶处理温度高45℃以上的温度,从热轧开始时的温度到600℃的冷却速度在100℃/分钟以下,固溶处理温度在(50×Co wt%+775)℃以上(50×Co wt%+825)℃以下的范围内选择,固溶处理后的时效处理优选为450~650℃下1~20小时。
申请公布号 CN103298961B 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201280005365.2 申请日期 2012.01.12
申请人 JX日矿日石金属株式会社 发明人 冈藤康弘
分类号 C22C9/06(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I 主分类号 C22C9/06(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 高旭轶;杨思捷
主权项 铜合金材料,其具有良好的弯曲加工性,其是含有1.0~2.5wt%的Co、0.2~0.7wt%的Si、0.001~0.5wt%的Zr、Co/Si的重量比为3.5~5.0的Cu‑Co‑Si‑Zr合金材料,任选含有选自Cr、Mg、Mn、Ni、Sn、Zn、P和Ag的元素,剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成,含有3000~500000个/mm<sup>2</sup>的直径0.20μm以上且小于1.00μm的第二相粒子,导电率EC在60%IACS以上,晶体粒径在10μm以下,含有10~2000个/mm<sup>2</sup>的直径1.00μm以上10.00μm以下的第二相粒子。
地址 日本东京都