用于闪存存储器中写入端单元间干扰减轻的方法和装置

摘要

提供了用于闪存存储器中写入端单元间干扰减轻的方法和装置。通过如下来对闪存存储器器件写入的方法，包括：获得要写入到所述闪存存储器中的至少一个目标单元的编程数据；获得用于晚于所述目标单元编程的至少一个入侵单元的编程数据的一个或更多个位；以及通过产生经预补偿的编程值，来预补偿对于所述目标单元的单元间干扰。所述入侵单元包括与所述目标单元相邻的一个或更多个单元，诸如在与所述目标单元相同字线中的一个或更多个相邻的单元和/或在所述目标单元上或下的相邻字线中的一个或更多个单元。可选地，将用于所述目标单元的所述经预补偿的编程值提供给所述闪存存储器。

主权项

一种对闪存存储器器件写入的方法，包括：获得要写入到所述闪存存储器中的至少一个目标单元的编程数据；获得用于晚于所述目标单元编程的至少一个入侵单元的编程数据的一个或更多个位，其中所述至少一个入侵单元包括与所述目标单元相邻的一个或更多个单元，并且其中通过分析用于所述闪存存储器器件的编程序列方案来识别与所述目标单元相邻的所述一个或更多个单元；以及通过产生经预补偿的编程值，来预补偿对于所述目标单元的单元间干扰，其中通过从所述至少一个目标单元的原始编程值减去单元间干扰ICI消除项获得预补偿所述单元间干扰的所述至少一个目标单元的新的编程电压。