集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法

摘要

本发明集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法利用现有的工艺设备，在硅片背面低温沉积氮化硅。简单来说就是在金属前绝缘层（PMD）沉积后，再追长氮化硅膜做保护层，这可以有效减少背面划伤以及小颗粒，将硅片后翻，进入普通的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）腔体沉积低温氮化硅(<450C），成膜完毕后先用干法刻蚀去除表面的氮化硅膜，然后再利用化学机械研磨（CMP）去除一定厚度的氧化膜，最后按需求追长一定厚度的氧化膜。

主权项

集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法，其特征在于，步骤a：在硅片的上表面淀积金属绝缘层，所述金属绝缘层为氧化膜层，所述金属绝缘层的厚度为步骤b：在金属绝缘层上生长正面保护层，所述正面保护层的厚度为所述正面保护层为氮化硅层；步骤c：将硅片后翻，在硅片的下表面上沉积低温氮化硅层，低温氮化硅层的厚度为以起到物理保护层的作用；步骤d：干法刻蚀去除正面保护层，之后进行化学机械研磨去除一定厚度的金属绝缘层。