发明名称 一种高纯三氧化钼的制备方法
摘要 本发明公开了一种高纯三氧化钼的制备方法。以金属钼单质粉末为原料,经氧化和纯化后得到。首先,在空气存在的条件下,钼单质经氧化反应得到三氧化钼,其中升温过程包括:1)将温度升至100℃~200℃,并保持恒温;2)继续升温至550℃~650℃,进行氧化反应;其次,纯化步骤包括:1)将所述三氧化钼置于一封闭容器中,并在所述容器中设置收集管;2)加热三氧化钼所在区域,使温度升至100~150℃;对容器抽真空至10Pa~100Pa,并保持恒温恒压;3)停止抽真空,并使三氧化钼所在区域的温度升至600℃~720℃,保持恒温;4)继续对所述容器抽真空至10Pa~100Pa,并保持恒压120~150min。本发明制备高纯三氧化钼的操作过程简单,能够满足实验室纯化或制备微量钼试剂的需求,所制得钼试剂纯度高达99.99%。
申请公布号 CN104003446B 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201410234166.X 申请日期 2014.05.29
申请人 中国计量科学研究院 发明人 宋盼淑;王军;任同祥;周涛
分类号 C01G39/02(2006.01)I 主分类号 C01G39/02(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 关畅;王春霞
主权项 一种高纯三氧化钼的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在空气存在的条件下,钼金属单质粉末经氧化反应得到三氧化钼;所述氧化反应的升温过程如下:1)将温度升至100℃~200℃,并保持恒温;2)继续升温至550℃~650℃,进行所述氧化反应;所述方法还包括对所述三氧化钼进行纯化的步骤:1)将所述三氧化钼置于一封闭的容器中,并在所述容器中设置收集管;2)加热所述三氧化钼所在区域,使温度升至100~150℃;对所述容器进行抽真空至10~100Pa,并保持恒温恒压;3)停止抽真空,并使所述三氧化钼所在区域的温度升至600℃~720℃,且保持恒温;4)继续对所述容器进行抽真空至10~100Pa,并保持恒压120~150min,即在所述收集管中收集得到升华提纯后的三氧化钼。
地址 100029 北京市朝阳区北三环东路18号