发明名称 |
具有模塑通孔的半导体器件 |
摘要 |
本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法,该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽,相对于覆盖晶圆的相同表面,分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。 |
申请公布号 |
CN104716050A |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201410101723.0 |
申请日期 |
2014.03.18 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
郑钧文;彭荣辉;蔡尚颖;蔡宏佳;邓伊筌 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种形成半导体器件的方法,包括:共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件,其中,所述基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分,以及所述覆盖晶圆包括多个隔离沟槽,所述多个隔离沟槽配置为与所述第一芯片封装件部分、所述第二芯片封装件部分和所述第三芯片封装件部分中的一个的相应的沟槽区基本上对准,所述覆盖晶圆还包括多个分离沟槽,相对于所述覆盖晶圆的相同表面,所述多个分离沟槽的深度比所述多个隔离沟槽的隔离沟槽的深度更大;去除所述覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件,所述第一芯片封装件部分接触件、所述第二芯片封装件部分接触件和所述第三芯片封装件部分接触件与所述多个分离沟槽的相应的分离沟槽对准;分离所述晶圆封装件以将所述晶圆封装件分离成配置以实施第一操作的第一芯片封装件、配置以实施第二操作的第二芯片封装件和配置以实施第三操作的第三芯片封装件,所述第一芯片封装件包括所述第一芯片封装件部分,所述第二芯片封装件包括所述第二芯片封装件部分,并且所述第三芯片封装件包括所述第三芯片封装件部分;以及将所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件放置在衬底上。 |
地址 |
中国台湾新竹 |