射频裂解硒蒸气制作铜铟镓硒薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种射频裂解硒蒸气制作铜铟镓硒薄膜的方法，其特点是：步骤包括：1.将硒蒸发源通向射频裂解区域；2.硒蒸发源由n≥5的Se_n大原子团蒸气，在等离子体撞击下裂解为n＜5的Se_n小原子团；3.将Se_n小原子团蒸气与Cu、In、Ga元素共蒸发反应，在衬底上形成铜铟镓硒薄膜。本发明采用RC振荡电路产生频率射频电场，在射频电场中通入Ar气，Ar气在射频电场的作用下形成等离子体区域作为射频裂解区域；无需高温加热，等离子体将n≥5的Se_n大原子团撞击裂解为n＜5的Se_n小原子团，提高了硒蒸气化学活性，改善了CIGS薄膜质量，提高了硒原料利用率，避免高温环境下硒蒸气对裂解装置的腐蚀，装置使用寿命长。

主权项

射频裂解硒蒸气制作铜铟镓硒薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1.将装有固态Se作为硒蒸发源的装置通向底电极板和顶电极板之间、输出功率为输入功率80%‑95%的射频裂解区域；步骤2.加热衬底至400‑500℃、加热Cu蒸发源温度至1200‑1400℃、加热In蒸发源温度至800‑1000℃、加热Ga蒸发源温度至900‑1100℃；加热硒蒸发源温度至200‑300℃，硒蒸发源形成n≥5的Se_n大原子团蒸气，进入到离子体区域，Se_n大原子团蒸气在等离子体撞击下裂解为n＜5的Se_n小原子团蒸气；步骤3.将步骤2中Se_n小原子团蒸气与Cu、In、Ga元素共蒸发反应，在衬底上形成铜铟镓硒薄膜，完成射频裂解硒蒸气制作铜铟镓硒薄膜的过程。