半导体器件及其制作方法

摘要

一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的栅极、栅极两侧的侧墙、以及源/漏区；位于源/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁紧邻形成，且底部覆盖源/漏区的至少一部分，同一晶体管的源/漏区之间通过层间介质层进行隔离；形成在栅极、侧墙、源/漏区以及下接触部上的层间介质层，以及在层间介质层中形成的与下接触部相对应的上接触部。本发明的实施例适用于半导体器件的接触部制造。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极、所述栅极两侧的侧墙、以及所述侧墙两侧的源/漏区；在所述半导体衬底上淀积接触部材料，对所述接触部材料进行平坦化处理至栅极的顶部露出，其中接触部材料不同于栅极的材料；对所述接触部材料进行刻蚀，刻蚀中保留覆盖所述源/漏区的至少一部分接触部材料以形成下接触部，并使得同一晶体管结构的源/漏之间电隔离；淀积层间介质层；以及在层间介质层中形成与所述下接触部相对应的接触孔，并在接触孔中填充接触部材料以形成上接触部。