像素结构及其制造方法

摘要

本发明有关于一种像素结构及其制造方法，其结构包括基板、扫描线、数据线、第一绝缘层、主动元件、第二绝缘层、电容电极及第一像素电极。扫描线与数据线相交错以及配置于基板上，且数据线包括彼此连接的线性传输部以及跨线传输部。第一绝缘层覆盖扫描线以及线性传输部并位于扫描线与跨线传输部之间。主动元件连接于扫描线与数据线，其中主动元件包括栅极、氧化物通道、源极及漏极。第二绝缘层位于氧化物通道以及线性传输部上方。电容电极配置于线性传输部上方。第一像素电极连接于漏极。藉此，可以降低像素结构中的寄生电容与耗电。本发明可以降低像素结构的寄生电容，进而减少像素结构的耗电量。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：一基板；一扫描线，配置于该基板上；一数据线，配置于该基板上，该扫描线与该数据线相交错，且该数据线包括彼此连接的一线性传输部以及一跨线传输部，其中该跨线传输部横跨该扫描线；一第一绝缘层，覆盖该扫描线以及该线性传输部并位于该扫描线与该跨线传输部之间；一主动元件，连接于该扫描线与该数据线，其中该主动元件包括：一栅极，连接该扫描线；一氧化物通道，位于该栅极上方，且该第一绝缘层位于该栅极与该氧化物通道之间；一源极，连接该数据线的该跨线传输部；以及一漏极，该源极与该漏极位于该氧化物通道的两侧；一第二绝缘层，包括位于该氧化物通道上方的一蚀刻阻挡图案以及位于该线性传输部上方的一隔离图案，且该隔离图案接触于该第一绝缘层；一电容电极，配置于该隔离图案上并且位于该线性传输部上方；以及一第一像素电极，连接于该漏极；还包括一第三绝缘层，覆盖该主动元件以及该电容电极；还包括一第二像素电极，配置于该第三绝缘层上并覆盖于该电容电极上方，该第三绝缘层至少具有一第三开口使该第二像素电极通过该第三开口电性连接该电容电极，且该第一像素电极在该基板上的面积局部地被该第二像素电极在该基板上的面积暴露出来以提供一边缘电场。