PMOS晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种PMOS晶体管结构及其制造方法，先通过在有源区的沟道区域形成埋置碳硅层，增大了沟道区域的应力，提高了PMOS晶体管载流子迁移率；再通过在栅极结构两侧的有源区中形成埋置锗硅层，即形成了具有埋置锗硅层的源漏区，进一步地增大了沟道区域的应力；同时，埋置碳硅层还阻挡源漏区后续工艺中注入的硼离子的外扩散，有利于形成更浅的超浅结，从而改善阈值电压的分布，降低短沟道效应，进一步提高了器件性能。

主权项

一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底中形成有浅沟槽隔离结构和有源区；在所述有源区中形成埋置碳硅层；在所述有源区中形成埋置碳硅层的步骤，包括：刻蚀所述有源区，形成一沟槽；在所述沟槽中外延生长或沉积一层厚度小于该沟槽深度的碳硅层；在所述碳硅层上外延生长或沉积一层顶部至少与沟槽顶部齐平的外延硅层，以形成所述埋置碳硅层；或者，在源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅层的步骤，包括：向所述源区和漏区之间的硅衬底中注入碳离子；快速退火，以在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅层；在所述有源区上方形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的有源区中形成埋置锗硅层；在所述栅极结构两侧的有源区中形成埋置锗硅层的步骤，包括：以所述栅极结构为掩膜，刻蚀所述栅极结构两侧的有源区，形成凹槽；在所述凹槽中外延生长或沉积一层厚度小于该凹槽深度的锗硅层；在所述锗硅层上外延生长或沉积一层顶部至少与所述凹槽顶部齐平的外延硅层，以形成所述埋置锗硅层。