| 主权项 |
一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置，其特征在于，具有交叉点型的存储单元阵列，该交叉点型的存储单元阵列由在向Y方向延伸的M个位线和向与所述Y方向立体地交差的X方向延伸的N个字线的交点位置的每一个排列有存储单元来构成，其中，所述存储单元具有电阻变化元件和双方向的电流控制元件；所述电阻变化元件通过被施加极性不同的电压，在第一电阻状态以及第二电阻状态的至少两个状态可逆地变迁；所述电流控制元件与所述电阻变化元件串联地连接并具有非线性的电流电压特性；M、N为整数，且M>N，所述存储单元阵列由以数据存储为目的的第一存储单元组、和与所述第一存储单元组连接的字线同样的所述字线连接的第二存储单元组构成，所述交叉点型电阻变化非易失性存储装置还具有：字线选择电路，对于所述存储单元阵列，选择一个字线作为选择字线；第一位线选择电路，选择所述第一存储单元组的一个位线作为第一选择位线；第二位线选择电路，选择与连接到所述选择字线的所述第二存储单元组连接的A个位线作为第二选择位线，其中，A为1以上的整数；字线用写入电路，对于所述第一存储单元组以及第二存储单元组的被选择了的存储单元，为了向第一电阻状态写入，通过所述选择字线供给第一电压或第一电流，为了向第二电阻状态写入，通过所述选择字线供给第二电压或第二电流；第一位线用写入电路，对于所述第一存储单元组的被选择了的存储单元，为了向第一电阻状态写入，通过由所述第一位线选择电路所选择的所述第一选择位线供给第三电压或第三电流，为了向第二电阻状态写入，通过由所述第一位线选择电路所选择的所述第一选择位线供给第四电压或第四电流；以及第二位线用写入电路，对于所述第二存储单元组的被选择了的存储单元，为了向第一电阻状态写入，通过由所述第二位线选择电路所选择的所述第二选择位线，供给第三电压或第三电流，为了向第二电阻状态写入，通过由所述第二位线选择电路所选择的所述第二选择位线供给第四电压或第四电流；对于所述第一存储单元组的被选择了的存储单元，在写入所述第一电阻状态时，所述字线用写入电路向所述选择字线供给所述第一电压或所述第一电流，并且，所述第一位线用写入电路在向所述第一存储单元组的所述第一选择位线供给所述第三电压或所述第三电流的同时，所述第二位线用写入电路向所述第二存储单元组的A个所述第二选择位线供给所述第三电压或所述第三电流，对于所述第一存储单元组的被选择了的存储单元，在写入所述第二电阻状态时，所述字线用写入电路向所述选择字线供给所述第二电压或所述第二电流，并且，所述第一位线用写入电路向所述第一存储单元组的被选择了的所述第一选择位线供给所述第四电压或所述第四电流的同时，所述第二位线用写入电路向所述第二存储单元组的A个所述第二选择位线供给所述第四电压或所述第四电流，所述交叉点型电阻变化非易失性存储装置，在向所述存储单元阵列进行写入时，始终对被连接到同样的所述字线的1+A个存储单元同时进行写入。 |
