发明名称 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE CHANBER WITH DOPANT MATERIAL SHIELD
摘要 <p>플라즈마 챔버, 가스 주입구들, RF 안테나, RF 윈도우, 추출 플레이트, 윈도우 차폐부, 및 챔버 라이너를 포함하는 플라즈마 이온 소스. RF 윈도우는 RF 안테나와 플라즈마 챔버의 중간에 위치될 수 있다. 윈도우 차폐부는 RF 윈도우와 플라즈마 챔버의 내부의 중간에 배치될 수 있으며, 챔버 라이너는 플라즈마 챔버의 내부 표면을 커버할 수 있다. 이온 소스의 동작 동안, 윈도우 차폐부가 그렇지 않았다면 RF 윈도우가 당했을 이온 충돌을 당한다. 따라서 더 적은 불순물 이온들이 플라즈마 챔버 내로 릴리징된다. 동시에, 추가적인 도펀트 원자들이 윈도우 차폐부로부터 플라즈마 챔버 내로 릴리징된다. 챔버 라이너가 또한 이온 충돌을 당하며, 이는 플라즈마 챔버로의 도펀트 원자들의 양에 기여한다. 따라서 플라즈마 챔버 내의 도펀트 이온 생성이 증가되며, 반면 불순물들이 최소화된다.</p>
申请公布号 KR20150067312(A) 申请公布日期 2015.06.17
申请号 KR20157011848 申请日期 2013.09.30
申请人 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 发明人 BILOIU COSTEL;KOO BON WOONG;MILLER TIMOTHY J.;RENAU ANTHONY
分类号 H01J37/32;H01J27/16;H01J49/10 主分类号 H01J37/32
代理机构 代理人
主权项
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