发明名称 ATOMIC LAYER DEPOSITION USING METAL AMIDINATES
摘要 <p>금속 필름이 균일한 두께 및 우수한 스텝 커버리지로 증착된다. 구리 금속 필름을 가열된 기판에 구리(I) N, N'-디이소프로필아세트아미디네이트 증기와 수소 가스를 교대로 반응시켜서 증착시킨다. 코발트 금속 필름을 가열된 기판에 코발트(II) 비스(N, N'-디이소프로필아세트아미디네이트) 증기와 수소 가스를 교대로 반응시켜서 증착시킨다. 이들 금속의 질화물 및 산화물을 수소를 암모니아 또는 수증기로 각각 교체함으로써 형성할 수가 있다. 필름은 좁은 홀에도 매우 균일한 두께 및 우수한 스텝 커버리지를 갖는다. 적당한 응용분야로는 자기정보 저장장치에서의 마이크로전자 및 자기저항 층의 전기적 상호연결에 사용된다.</p>
申请公布号 KR20150067397(A) 申请公布日期 2015.06.17
申请号 KR20157014429 申请日期 2003.11.14
申请人 PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE 发明人 GORDON ROY G.;LIM BOOYONG S.
分类号 C23C16/06;C23C16/18;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455 主分类号 C23C16/06
代理机构 代理人
主权项
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