发明名称 |
ATOMIC LAYER DEPOSITION USING METAL AMIDINATES |
摘要 |
<p>금속 필름이 균일한 두께 및 우수한 스텝 커버리지로 증착된다. 구리 금속 필름을 가열된 기판에 구리(I) N, N'-디이소프로필아세트아미디네이트 증기와 수소 가스를 교대로 반응시켜서 증착시킨다. 코발트 금속 필름을 가열된 기판에 코발트(II) 비스(N, N'-디이소프로필아세트아미디네이트) 증기와 수소 가스를 교대로 반응시켜서 증착시킨다. 이들 금속의 질화물 및 산화물을 수소를 암모니아 또는 수증기로 각각 교체함으로써 형성할 수가 있다. 필름은 좁은 홀에도 매우 균일한 두께 및 우수한 스텝 커버리지를 갖는다. 적당한 응용분야로는 자기정보 저장장치에서의 마이크로전자 및 자기저항 층의 전기적 상호연결에 사용된다.</p> |
申请公布号 |
KR20150067397(A) |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
KR20157014429 |
申请日期 |
2003.11.14 |
申请人 |
PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE |
发明人 |
GORDON ROY G.;LIM BOOYONG S. |
分类号 |
C23C16/06;C23C16/18;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455 |
主分类号 |
C23C16/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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