| 发明名称 | 三维多层阻变存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三维多层阻变存储器，包括：1个制作在硅片上的选通管和至少2个堆叠在2层金属层之间的存储电阻；每个存储电阻一端通过所述2层金属层中的底金属层连接所述选通管漏端，另一端连接所述2层金属层中的顶金属层分别作为该阻变存储器的位线；所述选通管其栅端作为该阻变存储器的字线，其源端作为该阻变存储器的源线。本发明的三维多层阻变存储器在提高阻变存储器存储密度的同时相对传统阻变存储器在面积上具有较大优势。 | ||
| 申请公布号 | CN104716259A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201310684491.1 | 申请日期 | 2013.12.13 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 苏波;刘凯;张可钢;陈华伦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种三维多层阻变存储器，其特征在于，包括：1个制作在硅片上的选通管和至少2个堆叠在2层金属层之间的存储电阻；每个存储电阻一端通过所述2层金属层中的底金属层连接所述选通管漏端，另一端连接所述2层金属层中的顶金属层分别作为该阻变存储器的位线；所述选通管其栅端作为该阻变存储器的字线，其源端作为该阻变存储器的源线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||