一种热丝化学气相沉积技术制备氧化钼纳米带的方法

摘要

本发明公开了一种以热丝化学气相沉积技术制备α-MoO₃纳米带的方法。以硅钼棒发热体为基底和钼源，通过对硅钼棒发热体的碳热还原处理和热丝化学气相沉积制备α-MoO₃纳米带。本发明是一种经济高效低成本的制备技术。在硅钼棒为发热体的电炉内进行，以硅钼棒发热体同时作为基底和钼源，先后通过对硅钼棒发热体的碳热还原处理和热丝化学气相沉积技术两步制备α-MoO₃纳米带。本发明工艺简单、成本低、产量大且α-MoO₃纳米带的质量好。α-MoO₃纳米带的大量制备技术制备对于其在锂离子电池、超级电容器和催化剂等各个领域的实践应用具有重要意义。

主权项

一种热丝化学气相沉积技术制备氧化钼纳米带的方法，其特征在于：以硅钼棒发热体为基底和钼源，通过对硅钼棒发热体的碳热还原处理和热丝化学气相沉积技术两步制备α‑MoO₃纳米带；所述热丝化学气相沉积技术，是以经过碳热还原处理后的硅钼棒发热体为基底和钼源，在常压空气氛围中，以5 ℃/min 加热电炉到300 ℃‑400 ℃，然后以50 ℃/min的速度加热到600 ℃‑800 ℃ ，然后断电随炉冷却，可见大量的α‑MoO₃纳米带沉积在硅钼棒基底上。