制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法

摘要

在本发明提供了一种制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法，包括在半导体器件上确定需借助硅化物掩模层来保留住写入的离子的两个区域，并根据所需留住注入离子的时间确定所述两个区域的不同厚度要求；在半导体器件上形成第一层硅化物掩模层、第二层硅化物掩模层；通过蚀刻去除部分区域的第二层硅化物掩模层，使得剩下的第一层硅化物掩模层以及第一层硅化物掩模层和第二层硅化物掩模层的组合满足所述两个区域的不同厚度要求。本发明形成了不同厚度和结构的硅化物掩模层，为特殊工艺的集成提供了更为广阔的应用空间。并且易于操作，成本低廉。

主权项

一种制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在半导体器件上确定需借助硅化物掩模层来保留住写入的离子的两个区域，并根据所需留住注入离子的时间确定所述两个区域的不同厚度要求；步骤2，在半导体器件上形成第一层硅化物掩模层；步骤3，在第一层硅化物掩模层上继续形成第二层硅化物掩模层；步骤4，通过蚀刻去除部分区域的第二层硅化物掩模层，使得剩下的第一层硅化物掩模层以及第一层硅化物掩模层和第二层硅化物掩模层的组合满足所述两个区域的不同厚度要求；其中，所述第一硅化物掩模层由氧化硅和氮化硅组成，所述第二硅化物掩模层由氧化硅组成；所述第一层硅化物掩模层和第二层硅化物掩模层的厚度和结构根据不同应用需求进行调整。