SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SUBSTRATE FOR SUPERCONDUCTOR WIRE

摘要

보다 고도의 2축 결정 배향성을 가지는 에피택셜 성장용 구리 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 에피택셜 성장용 기판은 2축 결정 배향된 구리층을 포함하고, 상기 구리층의 극점도에 기초하는 피크의 반치폭(ΔΦ)이 5°이내이고, 또한 극점도에 기초하는 피크의 스커트폭(Δβ)이 15°이내인 것을 특징으로 한다. 이러한 에피택셜 성장용 기판은 ΔΦ이 6°이내, 스커트폭(Δβ)이 25°이내가 되도록 구리층의 열처리를 행하는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후에 제1 공정에서의 열처리 온도보다 고온에서 ΔΦ이 5°이내, 스커트폭(Δβ)이 15°이내가 되도록 구리층의 열처리를 행하는 제2 공정에 의해 제조된다.