PROGRAMING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

摘要

본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하여 메모리 셀들을 프로그램하는 단계, 상기 워드 라인에 검증 전압을 인가하여 상기 메모리 셀들의 프로그램 여부를 판단하는 검증 단계를 포함하되, 상기 검증 단계는 감지 시점을 가변시켜 문턱 전압에 따른 메모리 셀들의 분포를 복수의 영역으로 구분한다.