光发电元件;PHOTOVOLTAIC ELEMENT

摘要

本发明课题系提供一种光发电元件，其具有充分的输出特性，同时可抑制透明导电膜之形成材料的使用量。解决手段系一种光发电元件，具有：n型晶质半导体基板，于该n型晶质半导体基板一侧依序层积之第1导电型非晶质系半导体层及第1透明导电膜，于前述n型晶质半导体基板另一侧依序层积之第2导电型非晶质系半导体层、第2透明导电膜及金属膜；前述第1导电型非晶质系半导体层及前述第2导电型非晶质系半导体层中任一者为n型非晶质系半导体层，另一者为p型非晶质系半导体层；且其中一侧系作为光入射面使用；该光发电元件中，前述n型晶质半导体基板两面形成有以非等向性蚀刻所致之金字塔状凹凸结构；第2透明导电膜之膜厚在40nm以上且小于70nm。