记忆体模组之非二进位级组倍增技术;NON-BINARY RANK MULTIPLICATION OF MEMORY MODULE

摘要

一负载缩减双排型记忆体模组(LRDIMM)之多个晶片选择输入中之一者可重新利用至一位址输入。该LRDIMM之多个记忆体级组中之一者可根据该等多个晶片选择输入之一剩余者选择。该重新利用的晶片选择输入可用以支援该LRDIMM之非二进位级组倍增。