| 摘要 |
플라즈마 에칭 방법에서는, 실시 형태의 일례에 있어서, 베이스층과, 실리콘 산화막과, 에칭 패턴이 형성되어 있는 폴리실리콘으로 이루어지는 에칭 마스크가 차례로 적층되어 있는 처리 기판에 대하여, 실리콘으로 이루어지는 상부 전극에 음의 직류 전압을 인가하면서 처리 가스에 의한 플라즈마에 의해 에칭 마스크 표면에 실리콘 함유 퇴적물을 퇴적시킨다. 또한, 플라즈마 에칭 방법에서는, 실시 형태의 일례에 있어서, 실리콘 함유 퇴적물이 퇴적된 에칭 마스크를 마스크로 하여 제 1 CF계 가스에 의한 플라즈마로 실리콘 산화막을 에칭한다. |
