| 发明名称 |
COMPOSITION FOR FORMING N-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING N-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL ELEMENT |
| 摘要 |
<p>본 발명은 도너 원소를 포함하는 화합물과, 분산매와, 유기 필러를 함유하는 n형 확산층 형성 조성물, n형 확산층을 갖는 반도체 기판의 제조 방법 및 태양 전지 소자의 제조 방법을 제공한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR20150066599(A) |
申请公布日期 |
2015.06.16 |
| 申请号 |
KR20157013666 |
申请日期 |
2013.01.10 |
| 申请人 |
HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. |
发明人 |
SATO TETSUYA;YOSHIDA MASATO;NOJIRI TAKESHI;ASHIZAWA TORANOSUKE;KURATA YASUSHI;MACHII YOICHI;IWAMURO MITSUNORI;ORITA AKIHIRO;SHIMIZU MARI |
| 分类号 |
H01L31/04;C03C8/16;C08L101/00;C09D201/00;H01L21/225;H01L31/0256;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/04 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
