| 摘要 |
<p>본 명세서가 개시하는 제 1 반도체 장치는, 애노드 영역과, 캐소드 영역을 갖는 반도체 기판을 구비하고 있다. 애노드 영역은, 반도체 기판의 표면으로부터 제 1 깊이가 되는 위치에 제 1 도전형의 불순물 농도의 최대값을 갖는 제 1 도전형의 제 1 영역과, 제 1 깊이보다 반도체 기판의 표면측의 제 2 깊이가 되는 위치에 제 1 도전형의 불순물 농도의 최대값을 갖는 제 1 도전형의 제 2 영역과, 제 1 영역과 제 2 영역 사이에 형성되고, 제 1 도전형의 불순물 농도가 반도체 기판의 표면의 1/10 이하인 제 3 영역을 포함한다.</p> |
