发明名称 |
使用溅射靶材的方法以及制造氧化物膜的方法;METHOD FOR USING SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE FILM |
摘要 |
本发明的一个方式提供一种能够形成含有多个金属元素且晶化度高的氧化物膜的溅射靶材的使用方法。在一种用于使用包括具有多个晶粒的多晶氧化物的溅射靶材的方法中,该多个晶粒具有劈开面,藉由将离子碰撞到溅射靶材来使溅射粒子从各劈开面剥离;以及藉由使溅射粒子带正电来使溅射粒子在互相排斥的同时均匀地沉积到沉积表面上。 |
申请公布号 |
TW201522690 |
申请公布日期 |
2015.06.16 |
申请号 |
TW104105316 |
申请日期 |
2013.06.18 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI |
分类号 |
C23C14/34(2006.01);C23C14/08(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |