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<p>본 명세서는 반도체 소자 층 및 관련 메모리 셀 구조를 제조하는 방법을 제공한다. 반도체 소자 층의 표면 처리 공정(예를 들면, 이온 충돌)을 수행하여 고의적인 깊이 프로파일을 갖는 겨함을 생성함으로써, 더 많은 지속적 전기적 파라미터를 갖는 다안정 메모리 셀을 생성할 수 있다. 예를 들어, 저항 변화 메모리 셀에서, 설정 및 재설정 전압의 간결한 분포를 획득하고 형성 전압을 낮출 수 있다. 적어도 하나의 실시예에서, 깊이 프로파일은, 결함의 타입 및 충돌된 금속산화물 층의 전기적 특성에 대한 결함의 영향을 수정하고 균일한 결함 분포를 개선하도록 선택된다.</p> |
