非挥发性记忆体及其制造方法;NON-VOLATILE MEMORY AND FABRICATING METHOD THEREOF

摘要

一种非挥发性记忆体及其制造方法。此非挥发性记忆体包括基底、穿隧介电层、浮置闸极、多个保护层、控制闸极以及闸间介电层。基底具有主动区。穿隧介电层配置于主动区中的基底的表面上。浮置闸极配置于穿隧介电层上。多个保护层分别配置于浮置闸极的部分侧壁上。控制闸极覆盖浮置闸极的顶面与部分侧壁以及每一保护层的至少一部分。闸间介电层配置于浮置闸极与控制闸极之间以及配置于保护层与控制闸极之间。