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发明名称
贴合晶圆的制造方法
摘要
本发明是一种贴合晶圆的制造方法,其使用具有切口部之晶圆来作为接合晶圆和基底晶圆,在离子植入时,以下述方式设定进行离子植入的离子植入机和离子植入条件的任一者或两者:在接合晶圆的剥离时,使已贴合的接合晶圆和基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置,位于从接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内。;藉此,能提供一种贴合晶圆的制造方法,在利用离子植入剥离法来形成SOI层等薄膜时,能降低在刚剥离后的薄膜表面上所产生的巨大断层缺陷的可能性。
申请公布号
TW201523743
申请公布日期
2015.06.16
申请号
TW103124943
申请日期
2014.07.21
申请人
信越半导体股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人
横川功 YOKOKAWA, ISAO;加藤正弘 KATO, MASAHIRO
分类号
H01L21/50(2006.01)
主分类号
H01L21/50(2006.01)
代理机构
代理人
蔡坤财李世章
主权项
地址
日本 JP
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