发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PREVENTING LATCH-UP IN A CHARGE PUMP CIRCUIT
摘要 차지 펌프 회로는 기판과, 기판 내에 형성되는 제 1 웰 영역을 포함한다. 제 1 트랜지스터는 제 1 웰 영역 내에 배치되는 제 1 및 제 2 전도 영역을 포함한다. 제 2 웰 영역은 기판 내에 형성된다. 제 3 웰 영역은 제 2 웰 영역 내에 형성된다. 제 2 트랜지스터는 제 3 웰 영역 내에 배치되는 제 1 및 제 2 전도 영역을 포함한다. 제 2 웰 영역 및 제 3 웰 영역은 공통 단자에 연결된다. 공통 단자는 로컬 전위를 수신하고, 제 1 웰 영역 및 제 2 웰 영역은 로컬 전위로 공통으로 유지된다. 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터는 차지 펌프 셀 내에서 작동한다. 복수의 차지 펌프 셀이, 제 2 차지 펌프 셀의 입력에 연결되는 제 1 차지 펌프 셀의 출력과 함께 캐스케이드 연결된다.
申请公布号 KR20150066539(A) 申请公布日期 2015.06.16
申请号 KR20157009927 申请日期 2013.10.02
申请人 SEMTECH CORPORATION 发明人 AEBISCHER DANIEL;CHEVROULET MICHEL
分类号 H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/06 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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