基底结构、互补金属氧化物半导体元件以及制造互补金属氧化物半导体元件的方法;SUBSTRATE STRUCTURE, COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

揭露基底结构、包含所述基底结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)元件以及制造所述CMOS元件的方法，其中所述基底结构包含：基底；至少一个晶种层，位于所述基底上，由包含硼(B)及/或磷(P)的材料形成；以及缓冲层，位于所述晶种层上。此基底结构使得有可能减小缓冲层的厚度且亦改良形成有所述基底结构的半导体元件的效能性质。