| 摘要 |
本发明提供一种可记录多值资讯、可大幅增加记忆体容量之自旋电子记忆体、使用有该自旋电子记忆体之资讯记录方法及资讯再生方法。;本发明之自旋电子记忆体之特征在于至少包含：一对电极1、2；记录层6a、6b、6c，其系使第1合金层5与第2合金层4积层而形成，且配设于上述电极1、2间，上述第1合金层5系以SbTe、Sb2Te3、BiTe、Bi2Te3、BiSe及Bi2Se3中的任一种为主成分而形成，且厚度为2nm以上、10nm以下，上述第2合金层4系以下述通式(1)所表示之合金为主成分而形成；及自旋注入层7，其包含磁性材料，将自旋注入至上述磁性材料已磁化之上述记录层；[化1]M1-xTex(1);其中，于上述式(1)中，M表示Ge、Al及Si中的任一种原子，x表示0.5以上且未达1之数值。 |
