| 摘要 |
반도체 표준 셀(200)은, 셀에 걸쳐 그리고 또한 셀 외부로도 연장하는, N-형 확산 영역 및 P-형 확산 영역(202)을 포함한다. 셀은 또한, 반도체 디바이스를 생성하기 위해 각각의 확산 영역 위에 도전성 게이트(206)를 포함한다. 한 쌍의 더미 게이트들(208, 218)이 또한 N-형 확산 영역 및 P-형 확산 영역 위에 있어서 한 쌍의 더미 디바이스들을 생성한다. 한 쌍의 더미 게이트들이 셀의 대향 엣지들에 배치된다. 셀은 또한, 더미 디바이스들을 디스에이블하기 위한, 파워 또는 접지에 더미 디바이스들을 커플링하도록 구성된 제 1 도전성 라인(214)을 포함한다. |
