发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
摘要 |
산화물 반도체 층을 사용하여 형성되고 전기 특성의 변동이 작은 반도체 장치가 제공된다. 산화물 반도체 층을 포함하고 안정한 전기 특성을 나타내는, 신뢰성이 높은 반도체 장치가 제공된다. 또한, 반도체 장치의 제작 방법이 제공된다. 반도체 장치에서는, 산화물 반도체 층이 채널 형성 영역에 사용되고, 산화물 반도체 층을 둘러싸는 산화물 층을 포함하는 다층막이 제공되고, 다층막의 일 단면의 단부가 곡률을 갖는다. |
申请公布号 |
KR20150066533(A) |
申请公布日期 |
2015.06.16 |
申请号 |
KR20157008961 |
申请日期 |
2013.10.10 |
申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
YAMAZAKI SHUNPEI;SUZAWA HIDEOMI |
分类号 |
H01L29/786;H01L29/26;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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