发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 산화물 반도체 층을 사용하여 형성되고 전기 특성의 변동이 작은 반도체 장치가 제공된다. 산화물 반도체 층을 포함하고 안정한 전기 특성을 나타내는, 신뢰성이 높은 반도체 장치가 제공된다. 또한, 반도체 장치의 제작 방법이 제공된다. 반도체 장치에서는, 산화물 반도체 층이 채널 형성 영역에 사용되고, 산화물 반도체 층을 둘러싸는 산화물 층을 포함하는 다층막이 제공되고, 다층막의 일 단면의 단부가 곡률을 갖는다.
申请公布号 KR20150066533(A) 申请公布日期 2015.06.16
申请号 KR20157008961 申请日期 2013.10.10
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 YAMAZAKI SHUNPEI;SUZAWA HIDEOMI
分类号 H01L29/786;H01L29/26;H01L29/66 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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