记忆体电路及半导体装置;STORAGE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明的一个方式的目的之一是减少能够作为正反器电路(FF)工作的记忆体电路的功耗。本发明的一个方式是一种记忆体电路，包括第一、第二逻辑电路、其通道形成区由氧化物半导体构成的第一、第二电晶体以及电容器。第一电晶体和第二电晶体串联连接，电容器连接于第一电晶体和第二电晶体的连接节点。第一电晶体用作连接第一逻辑电路的输出端子与电容器之间的开关，第二电晶体用作连接电容器与第二逻辑电路的输出端子之间的开关。相位相互反转的时脉信号输入到第一、第二电晶体的闸极。在该记忆体电路中，电晶体的数量少，并且由时脉信号控制的电晶体的数量也少，因此该记忆体电路成为功耗少的电路。