应用互连金属膜堆叠的厚金属层的微机电系统（ＭＥＭＳ）装置;MEMS DEVICES UTILIZING A THICK METAL LAYER OF AN INTERCONNECT METAL FILM STACK

摘要

以与CMOS微电子装置并容的互连金属化，制造例如陀螺仪或加速度计等微机电系统装置。在实施例中，保证质量具有使用与薄金属层分开的厚金属层之第一体区。对于增加的质量，厚金属层具有的膜厚显着地大于薄金属层的膜厚。保证质量又包含第一感测结构，第一感测结构包括薄金属层但缺少厚金属层，用于小特征尺寸及周围框之增加的电容耦合，周围框包含第二感测结构，第二感测结构包括薄金属层但也缺少厚金属层。在另外的实施例中，框被释放及包含具有厚金属层的区域以更佳地匹配保证质量之膜应力诱发的静态偏离。