氮化物半导体发光元件及其制造方法

摘要

实现一边相较于先前的元件更提升发光效率，一边也具有优良寿命特性的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件，系在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间，具有交互层积由氮化物半导体所成之量子井层与由氮化物半导体所成之障壁层的发光层的氮化物半导体发光元件，其中，障壁层中与p型氮化物半导体层接触之位置所形成的最后障壁层，系包含n型不纯物，与p型氮化物半导体层之界面的n型不纯物浓度为4×10 17 /cm 3 以下。