| 摘要 |
<p>기판 상에 박막을 형성하기 위한 방법이 개시된다. 방법은 불소를 갖는 제1 가스를 유동시킴으로써 공정 챔버를 세정하는 단계(402)를 포함한다. 방법은 또한 제1 지속 기간 동안 제2 가스를 유동시킴으로써 비정질 규소(A-Si)를 포함하는 제1 봉지 층으로 공정 챔버를 코팅하는 단계(404)를 포함하고, 여기서 제1 봉지 층은 불소 오염으로부터 보호한다. 방법은 기판을 공정 챔버 내로 로딩하는 단계(406), 제3 가스를 공정 챔버 내로 유동시킴으로써 기판 상에 박막을 침착시키는 단계(408), 및 공정 챔버로부터 기판을 언로딩하는 단계(410)를 추가로 포함한다. 박막은 질화규소(SiN)를 포함할 수 있고, 제1 가스는 삼불화질소(NF) 가스를 포함할 수 있으며, 제2 가스는 실란(SiH) 가스를 포함할 수 있다. 박막은 플라즈마-강화 화학 증착을 사용하여 형성될 수 있다. 기판은 태양 전지 또는 액정 디스플레이(LCD)일 수 있다.</p> |
