| 摘要 |
<p>본 발명은, 기판 상에 일방향으로 연장하는 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 게이트 전극 위로 전면에 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 무기절연층을 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 무기절연층과 순수 비정질 실리콘층을 패터닝함으로써 상기 게이트 전극에 대응하여 상기 게이트 절연막 상부로 순수 비정질 실리콘 패턴과 그 상부로 상기 순수 비정질 실리콘 패턴의 중앙부에 대응하여 에치스토퍼를 형성하는 단계와; 상기 에치스토퍼 및 상기 에치스토퍼 양측으로 노출된 상기 순수 비정질 실리콘 패턴 위로 전면에 불순물 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 적층한 후 패터닝함으로써 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하고, 동시에 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지며 상기 에치스토퍼 상부에서 서로 이격하며 상기 에치스토퍼 외측으로 노출된 순수 비정질 실리콘 패턴과 접촉하는 오믹콘택층과, 상기 오믹콘택층 상부로 이와 중첩하며 상기 에치스토퍼 상부에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; DPSS(Diode Pumped Solid State) 레이저 장치를 통해 레이저 빔을 조사함으로서 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 이격영역에 대응하는 상기 순수 비정질 실리콘 패턴을 결정화하여 폴리실리콘이 되는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역 양측의 결정화되지 않고 순수 비정질 실리콘 상태를 유지하는 제 2 영역으로 이루어진 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극 위로 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 화소영역에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 상기 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법과 이러한 제조 방법에 의해 제조된 어레이 기판을 제공한다.</p> |
