发明名称 高频滤波器
摘要
申请公布号 TWI488430 申请公布日期 2015.06.11
申请号 TW102133179 申请日期 2013.09.13
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 今村光利
分类号 H03H7/075;H03H7/09 主分类号 H03H7/075
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种高频滤波器,其特征在于,具备:积层多个绝缘体层而构成的积层体;由电容器及线圈构成,且沿既定方向排列之三个以上的LC并联谐振器;以及不与其他导体接触的浮接导体;在所述三个以上的LC并联谐振器中,相邻的所述LC并联谐振器进行电磁场耦合;所述电容器,由设置于所述积层体内的接地导体、及与该接地导体相对向且形成电容的谐振电容导体构成;所述线圈,由贯穿所述多个绝缘体层中的一个以上的绝缘体层之第1通孔导体、贯穿该多个绝缘体层中的一个以上的绝缘体层之第2通孔导体、及设置于所述绝缘体层上之线路导体构成,其中,所述线路导体,系透过该第1通孔导体而与所述谐振电容导体电连接,且透过该第2通孔导体而与所述接地导体电连接;所述谐振电容导体及所述接地导体,在积层方向,相对于所述线路导体位于一侧;所述浮接导体,横跨三个以上的所述线圈内;在从积层方向俯视观察时,与所述浮接导体重叠的多个所述线路导体中,位于既定方向一端的第1线路导体及位于既定方向另一端的第2线路导体、与该浮接导体所形成的静电电容的总和,较所述谐振电容导体与该浮接导体所形成的静电电容的总和大。
地址 日本