| 发明名称 |
使用牺牲闸电极形成半导体装置之方法及牺牲自对准接触结构 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI488226 |
申请公布日期 |
2015.06.11 |
| 申请号 |
TW101144426 |
申请日期 |
2012.11.28 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
韦 安迪;巴尔斯 彼特;杰斯 艾瑞克 |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种形成半导体装置之方法，包括：形成两相互隔开的牺牲闸电极，该牺牲闸电极由第一材料组成；在该两相互隔开的牺牲闸电极之间形成由第二材料组成的牺牲接触结构，其中，该第二材料相对该第一材料为可选择性蚀刻；执行共同的第一蚀刻制程，以选择性相对该牺牲接触结构选择性移除该两相互隔开的牺牲闸电极结构；以及选择性移除该两相互隔开的牺牲闸电极结构后，执行第二蚀刻制程，以移除整个该牺牲接触结构。
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| 地址 |
美国 |
