发光二极体阵列与其形成方法

主权项

一种发光二极体阵列的形成方法，包含：形成一磊晶结构在一暂时基板上，该磊晶结构包含一第一型掺杂层、一发光层以及一第二型掺杂层；蚀刻该磊晶结构，以形成复数个发光二极体；蚀刻一或多个该发光二极体，移除该发光层以及该第二型掺杂层，并暴露至少部分该第一型掺杂层，藉此形成一或多个接触单元；藉由一或多个内连线电性耦合(electrically coupled)该接触单元及/或该发光二极体；形成一功能结构在该复数个发光二极体与该一或多个接触单元上方；以及移除该暂时基板。