誘電体基板と金属層との間の密着性を促進するための方法

摘要

本発明は、誘電体基板表面を金属化するための新規の方法であって、オルガノシラン組成物を施与し、次に酸化処理する前記方法に関する。該方法は、基板とめっきされた金属との間の高い密着性を示す金属めっきされた表面をもたらし、同時に、滑らかな基板表面は保持される。