发明名称 薄膜太阳能电池钼电极结构
摘要
申请公布号 TWI488326 申请公布日期 2015.06.11
申请号 TW102146053 申请日期 2013.12.13
申请人 国立勤益科技大学 发明人 张子钦
分类号 H01L31/18;H01L31/0224 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人
主权项 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的电极结构,依序包括:玻璃基板、第一钼金属层、第二钼金属层,其中第一钼金属层、第二钼金属层之厚度比为2:8~4:6,第一钼金属层之侧面结构为具有纤维状结构之金属薄膜,第二钼金属层之侧面结构为具有柱状晶结构之金属薄膜,而此双层钼金属层存在-1.4~-0.1GPa的压应力,薄膜的优选方位为在40.25°~40.75°的[110]方向。
地址 台中市太平区中山路2段57号