沟渠式闸极金氧半场效电晶体及其制造方法

主权项

一种沟渠式闸极金氧半场效电晶体的制造方法，包括：于具有一第一导电型之一基底上形成具有该第一导电型之一磊晶层；于该磊晶层中形成具有该第一导电型的一源极区；于该源极区中形成至少二第一沟渠；于该些第一沟渠中分别填满多个第一绝缘层，以构成多个隔离结构；于该磊晶层中形成一第二沟渠，使得该些隔离结构位于该第二沟渠的两侧且与该第二沟渠接触；于该第二沟渠中形成一第二绝缘层；于该第二沟渠中填入一第一导体层；于该第二沟渠两侧的该磊晶层中分别形成二第三沟渠；以及于该些第三沟渠中分别填入多个第二导体层。