发明名称 光电转换装置及光电转换装置的制造方法
摘要
申请公布号 TWI488317 申请公布日期 2015.06.11
申请号 TW098139926 申请日期 2009.11.24
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 鸟海聪志;远藤俊弥;大森绘梨子
分类号 H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种光电转换装置,包括:单元元件,包括:具有一导电型的第一杂质半导体层;半导体层,包含:第一半导体区域;以及第二半导体区域,其中,该第一半导体区域中的晶体半导体的比率高于该第一半导体区域中的非晶半导体的比率,其中,该第二半导体区域中的非晶半导体的比率高于该第二半导体区域中的晶体半导体的比率,其中,该第二半导体区域在该非晶半导体中包含放射状结晶和具有针状生长端的结晶两者;以及具有与该第一杂质半导体层的该导电型相反的导电型的第二杂质半导体层,其中,依次层叠该第一杂质半导体层、该半导体层和该第二杂质半导体层。
地址 日本