| 主权项 |
一种以研磨垫研磨具有铜内连线金属之图案化半导体晶圆之方法，包括下列步骤：a.提供水相研磨液，该研磨液含>0.2至1.0重量百分比之苯并三唑(BTA)抑制剂以及0.4至5重量百分比之选自亚胺二乙酸、乙二胺四乙酸及其组合之错合物，该错合物可错合铜离子与水；b.以铜溶解成Cu+1离子，且该Cu+1离子与该BTA抑制剂之浓度为[BTA]*[Cu+1]>当该水相研磨液中不含该错合物时Cu-BTA沉淀物之Ksp之方式，以该水相研磨液与该研磨垫研磨该图案化晶圆；以及c.将至少部份之该Cu+1离子氧化成Cu+2离子以避免该Cu-BTA沉淀物在研磨时沉淀在该图案化晶圆与该研磨垫上。 |
