| 主权项 |
一种沟渠金属氧化物半导体场效电晶体，其包括：一基板，其上面依次形成有一磊晶层及一主体层；一沟渠，其垂直形成于该磊晶层及该主体层之一中央部分中；一第一闸极氧化物膜，其形成于该沟渠之一内壁上；一扩散氧化物膜，其形成于介于该沟渠之下表面与该基板之上表面之间的该磊晶层中，且其具有大于该第一闸极氧化物膜之厚度的厚度以及大于该沟渠之宽度的宽度；一闸极，其形成于具有该第一闸极氧化物膜之该沟渠中；一第二闸极氧化物膜，其形成于该闸极上；以及一源极区，其形成于该闸极之上部的两侧处，其中与该磊晶层接触之该扩散氧化物膜系向外朝向该磊晶层倾斜(tilted)。
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