制造具有闸极堆叠结构之半导体元件之方法

主权项

一种制造半导体元件之方法，该方法包含：于基板上方形成第一导电层；于该第一导电层上方形成中间结构，该中间结构系形成为堆叠结构，该堆叠结构至少包含第一金属层、一形成在第一金属层上方的第二金属层、及形成在该第二金属层上方的含氮金属矽化物层，其中该第一金属层含有含钛层与含钽层中之一种；及于该中间结构上方形成第二导电层。